Showing 25 of 51 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDS8880_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8880_NL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8878
Rochester Electronics LLC
|
1 | 10.2A, 30V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8 | FDS8878 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8876-F40
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8876-F40 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8840NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8840NZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8870
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8870 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8884
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8884 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8884
Rochester Electronics LLC
|
1 | 8.5A, 30V, 0.023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SO-8 | FDS8884 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8870-NBSC001
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8870-NBSC001 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8842NZ
Rochester Electronics LLC
|
1 | 14900mA, 40V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8 | FDS8842NZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8874
Rochester Electronics LLC
|
1 | 16A, 30V, 0.0055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8 | FDS8874 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8858CZ
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 30V, 0.017ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8858CZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8812NZ
onsemi
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDS8812NZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8880-F123
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8880-F123 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8878
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8878 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8817NZ-G
onsemi
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor | FDS8817NZ-G |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8878-F123
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MS-012AA | FDS8878-F123 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8876
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8876 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8842NZ
onsemi
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8842NZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8813NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8813NZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8878-NBSE002
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8878-NBSE002 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8812NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8812NZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8842NZ
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8842NZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8870
Rochester Electronics LLC
|
1 | 18A, 30V, 0.0042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8 | FDS8870 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8876-F123
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FDS8876-F123 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FDS8840NZ
onsemi
|
1 | MOSFET, N-Channel, POWERTRENCH 40 V, 18.6 A, 4.5 mOhmn | FDS8840NZ |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||