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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFMG40
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFMG40 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFMG40D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFMG40D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMG4
ROHM Semiconductor
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, NPN, Silicon | FMG4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFMG40UPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFMG40UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFMG40A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFMG40A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFMG40PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFMG40PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HP3ET-WFMG4
Harbour Industries
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1 | Wire And Cable, 10AWG, 250V | HP3ET-WFMG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFMG40U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFMG40U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFMG40D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFMG40D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFMG40CDV
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFMG40CDV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP43771HFBZ-13-FMG4
Diodes Incorporated
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1 | USB PD Controller, Fixed, 1 Channel, PDSO14 | AP43771HFBZ-13-FMG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HP3E-XFMG4
Harbour Industries
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1 | Wire And Cable, 10AWG, 600V | HP3E-XFMG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFMG40UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFMG40UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CHFMG4PTGP
CHENMKO Enterprise Co Ltd
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1 | Transistor | CHFMG4PTGP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HP3ET-XFMG4
Harbour Industries
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1 | Wire And Cable, 10AWG, 250V | HP3ET-XFMG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFMG40PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFMG40PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMG4A
ROHM Semiconductor
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon | FMG4A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFMG40SCV
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFMG40SCV |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CHFMG4GP
CHENMKO Enterprise Co Ltd
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1 | Transistor | CHFMG4GP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFMG40DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 1000V, 4.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRFMG40DPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||