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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N60TF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N60TF_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N50TM
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.6A, 500V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD2N50TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N80TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N80TF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N60TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N60TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N50TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N50TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | FQD2N60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N100TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.6A, 1000V, 9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD2N100TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N60TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 2A, 600V, 4.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD2N60TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N50TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.6A, 500V, 5.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD2N50TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N40TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 400V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N40TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N30TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 300V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N30TM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N50TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N50TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N80TF
Rochester Electronics LLC
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1 | 1.8A, 800V, 6.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 | FQD2N80TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N100TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 1000V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N100TF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N80TF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N80TF_NL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 400V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N40 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N50B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQD2N50B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N90TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N90TF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQD2N40TF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 400V, 5.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | FQD2N40TF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||