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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N50J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N50J69Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N50
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 500V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N50 |
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FQP6N90J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP6N90J69Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N45J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 400V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP6N45J69Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N90
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N90 |
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FQP6N70
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 700V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N70 |
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FQP6N40J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQP6N40J69Z |
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FQP6N25
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N25 |
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FQP6N40
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N40 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQP6N25J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N25J69Z |
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FQP6N60
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N60 |
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FQP6N90
Rochester Electronics LLC
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1 | 5.8A, 900V, 1.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | FQP6N90 |
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FQP6N15
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQP6N15 |
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