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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF2N70
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 700V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF2N70 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF22P10TYDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Transistor | FQPF22P10TYDTU |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF22P10
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.2A I(D), 100V, 0.125ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF22P10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF28N15
Rochester Electronics LLC
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1 | 16.7A, 150V, 0.09ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | FQPF28N15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF24N08
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 80V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF24N08 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF27N25
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF27N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF26N03L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF26N03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF2N60C-F105
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | FQPF2N60C-F105 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF2N80YDTU
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF2N80YDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF27N25
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF27N25 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF2N80YDTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF2N80YDTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF20N06L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15.7A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF20N06L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF2N50C
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | FQPF2N50C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF2N60C
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF2N60C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF27P06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF27P06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF2N70
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 700V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | FQPF2N70 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FQPF22N30
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 300V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FQPF22N30 |
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