Showing 25 of 117 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-2-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-2-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-03
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.141ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-06-T13
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-06-T13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-06-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-06-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-03
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-2-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-2-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-03-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.141ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-03-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-2-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-2-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-3
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-3
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-06F
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-06F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-2
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-06
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-03-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.141ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-03-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-3
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-06
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-3-T13
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-3-T13 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASJ-3
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASJ-3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-03-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-03-T1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-2-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-2-T2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-03
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-03 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10AS-06
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10AS-06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10ASH-3
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10ASH-3 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||