Showing 25 of 83 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310HR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310HR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS4310ZTRR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS4310ZTRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBW1/2FS-431JT
RCD Components Inc
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1 | 0.5W, 430ohm, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount | MBW1/2FS-431JT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS4310Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS4310Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBW1FS-431JTQ
RCD Components Inc
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1 | 1W, 430ohm, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount | MBW1FS-431JTQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310ZTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310ZTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFS43-12003000-35-5P-44
Amphenol Narda-Miteq
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1 | Wide Band Low Power Amplifier, 12000MHz Min, 30000MHz Max | AFS43-12003000-35-5P-44 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFS43-12002400-25-10P-44
L-3 Narda Microwave - West
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1 | Wide Band Low Power Amplifier, 12000MHz Min, 24000MHz Max, | AFS43-12002400-25-10P-44 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310ZTRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310ZTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBW1/2FS-431JB
RCD Components Inc
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1 | 0.5W, 430ohm, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount | MBW1/2FS-431JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS4310ZTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS4310ZTRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFS43-10951175-09-10P-44
L-3 Narda Microwave - West
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1 | Narrow Band Low Power Amplifier, 10950MHz Min, 11750MHz Max, | AFS43-10951175-09-10P-44 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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620-LFS431-JBW
RCD Components Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 50W, 430ohm, 1250V, 5% +/-Tol, | 620-LFS431-JBW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310ZTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310ZTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310TRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS4310TRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AUIRFS4310TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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620-LFS431-JB
RCD Components Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 50W, 430ohm, 1250V, 5% +/-Tol, | 620-LFS431-JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBW1/2FS-431JBQ
RCD Components Inc
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1 | 0.5W, 430ohm, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount | MBW1/2FS-431JBQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GTRFS431
SY Sinyork Co Ltd
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.06A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | GTRFS431 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MBW1/2FS-431JTW
RCD Components Inc
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1 | 0.5W, 430ohm, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount | MBW1/2FS-431JTW |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFS43-10501070-09-10P-44
Amphenol Narda-Miteq
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1 | Narrow Band Low Power Amplifier, 10500MHz Min, 10700MHz Max | AFS43-10501070-09-10P-44 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS4310ZPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS4310ZPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AFS43-10701170-09-10P-44
Amphenol Narda-Miteq
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1 | Narrow Band Low Power Amplifier, 10700MHz Min, 11700MHz Max | AFS43-10701170-09-10P-44 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||