Showing 25 of 53 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FSPYC264R4
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC264R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC164R4
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC164R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC164F4
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 150V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC164F4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC260R4
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC260R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC260R3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC260R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC264D1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC264D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC260F4
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC260F4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC260F3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC260F3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC160R4
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC160R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC264F3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC264F3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC164R3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 150V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC164R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC160F3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC160F3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC260F4
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC260F4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC160D1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC160D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC164F4
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC164F4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC264R3
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC264R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC264F4
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC264F4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC260F3
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC260F3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC260D1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 200V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC260D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC264D1
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC264D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC264R3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC264R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC160F4
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC160F4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC264R4
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC264R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC164R3
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 150V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC164R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSPYC264F3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSPYC264F3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||