Showing 25 of 1320 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2017R
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2017R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2010
Altech Corporation
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1 | Terminal Block Accessory, 0.055in Max Cable Dia, Ferrule | FTD2010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2001
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2014
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2014 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2019A
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2019A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2017A
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2017A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2017C-TL
onsemi
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,COMMON DRAIN,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,6A I(D),TSSOP | FTD2017C-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2011A
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2011A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2017M
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2017M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2003
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2015
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2015 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2008M
Altech Corporation
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1 | Terminal Block Accessory, 0.055in Max Cable Dia, Ferrule | FTD2008M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2010M
Altech Corporation
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1 | Terminal Block Accessory, 0.055in Max Cable Dia, Ferrule | FTD2010M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2022
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 30V, 0.034ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2022 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2017CTL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2017CTL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2011A
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2011A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2011A
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2011A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2017
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2005
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2017C
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2017C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2017CTL
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2017CTL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2007
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 100V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2007 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2008
Altech Corporation
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1 | Terminal Block Accessory, 0.055in Max Cable Dia, Ferrule | FTD2008 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2015
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.073ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2015 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FTD2002
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | FTD2002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||