Showing 25 of 116 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66506T-E01-MR
GaN Systems
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1 | MOSFET 650V 22A E-Mode GaN | Other | GS66506T-E01-MR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66506T-MR
GaN Systems
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1 | 650V, 22.5A, Enhancement mode GaN Transistor, GaNPX® package, Top-side cooled | Other | GS66506T-MR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66516T
GaN Systems
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1 | 650V, 60A, Enhancement mode GaN Transistor, GaNPX® package, Top-side cooled | Other | GS66516T |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66508T
GaN Systems
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1 | 650V, 30A, Enhancement mode GaN Transistor, GaNPX® package, Top-side cooled | Other | GS66508T |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66516B
GaN Systems
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1 | 650V, 60A, Enhancement mode GaN Transistor, GaNPX® package, Bottom-side cooled | Other | GS66516B |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66508B
GaN Systems
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1 | 650V, 30A, Enhancement mode GaN Transistor, GaNPX® package, Bottom-side cooled | Other | GS66508B |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66506T
GaN Systems
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1 | 650V, 22.5A, Enhancement mode GaN Transistor, GaNPX® package, Top-side cooled | Other | GS66506T |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66502B
GaN Systems
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1 | 650V, 7.5A, Enhancement mode GaN Transistor, GaNPX® package, Bottom-side cooled | Other | GS66502B |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66506T-TR
GaN Systems
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1 | 650V, 22.5A, Enhancement mode GaN Transistor, GaNPX® package, Top-side cooled | Other | GS66506T-TR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66504B
GaN Systems
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1 | 650V, 15A, Enhancement mode GaN Transistor, GaNPX® package, Bottom-side cooled | Other | GS66504B |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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DW-15-12-G-S-665
SAMTEC
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1 | .025" BOARD SPACERS | Header, Vertical | DW-15-12-G-S-665 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66502B-MR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 650V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS66502B-MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66508T-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS66508T-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66502B-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 650V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS66502B-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66504B-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS66504B-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66508B-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS66508B-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66516B-MR
Gang Song Electronics Co Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | GS66516B-MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66504B-MR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS66504B-MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66516B-TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 650V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS66516B-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66516B-TR
Gang Song Electronics Co Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | GS66516B-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS66506T-MR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22.5A I(D), 650V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET | GS66506T-MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HMTSW-106-10-G-S-665
Samtec Inc
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1 | Board Connector, 6 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking, Natural Insulator | HMTSW-106-10-G-S-665 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZW-02-12-G-S-665-135
Samtec Inc
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1 | Board Stacking Connector, 2 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking, Black Insulator | ZW-02-12-G-S-665-135 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1FGS665-673GG
Advanced Interconnections Corp
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1 | IC Socket, BGA665, 665 Contact(s), 1.27mm Term Pitch, 0.1mm Row Spacing, Solder | 1FGS665-673GG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MTSW-108-21-G-S-665
Samtec Inc
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1 | Board Connector, 8 Contact(s), 1 Row(s), Male, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Locking | MTSW-108-21-G-S-665 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||