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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2504D(S)-(3)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2504D(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2510DS
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.97ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2510DS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2502CF
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 250V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2502CF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2510DL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.97ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2510DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2505DS-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.89ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2505DS-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2505D(S)-(3)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2505D(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2508DS-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2508DS-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2513PL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 250V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2513PL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2508D(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2508D(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2503P-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 250V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2503P-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2504DSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.67ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2504DSTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2505D(S)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2505D(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2510DL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.97ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2510DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2509P-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 250V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2509P-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2504DS
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.67ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2504DS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2512FN-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 250V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | H5N2512FN-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2508DSTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.63ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2508DSTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2509P
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 250V, 0.069ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2509P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2504DL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.67ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2504DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2505DS
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.89ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2505DS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2501LD-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 250V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2501LD-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2522FP-E0-E#T2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2522FP-E0-E#T2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2510D(S)-(3)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2510D(S)-(3) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2508D(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2508D(S)-(1) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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H5N2505DL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.89ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | H5N2505DL-E |
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