Showing 25 of 570 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1036R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.034ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT1036R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1020REL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.13ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1020REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1023R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT1023R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1033TEL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 0.1ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1033TEL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1025R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.15ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT1025R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1000-S
LEM Holdings SSA
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1 | CURRENT SENSOR | HAT1000-S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1038RJ
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.23ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT1038RJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1036R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.034ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1036R-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1055RJ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.13ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1055RJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1020R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT1020R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1097RJ-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1097RJ-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1023R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT1023R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1021R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT1021R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1023REL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.06ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1023REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1043M-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1043M-EL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1054R
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1054R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1023REL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.06ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1023REL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1032TEL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 0.1ohm, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1032TEL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1046R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 0.06ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT1046R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1054R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1054R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1065R-EL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 10ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1065R-EL-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1053M
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1053M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1032T
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.06ohm | HAT1032T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1025R
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 0.15ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | HAT1025R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HAT1051T
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | HAT1051T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||