Showing 25 of 77 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IAUCN08S7N019TATMA1
Infineon
|
1 | MOSFETs 80 V, N-Ch, 1.94 mOhm max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T, OptiMOS 7 | Other | IAUCN08S7N019TATMA1 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7L005
Infineon
|
1 | N-Channel 40 V 430A (Tj) 179W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-43 | Other | IAUCN04S7L005 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7L019ATMA1
Infineon
|
1 | 40 V, N-Ch, 1.91mΩ max, Automotive MOSFET, SSO8(5x6), OptiMOS™ 7 | Other | IAUCN04S7L019ATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7N006TATMA1
Infineon
|
1 | MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor, N-Channel, MSL1 - 260°C, RoHS | Other | IAUCN04S7N006TATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7N010GATMA1
Infineon
|
1 | MOSFETs OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications | Other | IAUCN04S7N010GATMA1 |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7L014ATMA1
Infineon
|
1 | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | Other | IAUCN04S7L014ATMA1 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7N030
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.00302ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN04S7N030 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN08S7N019T
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IAUCN08S7N019T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN08S7N045T
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 99A I(D), 80V, 0.00454ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN08S7N045T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7N009
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 175A I(D), 40V, 0.00096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN04S7N009 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7N005
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 175A I(D), 40V, 0.00055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN04S7N005 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7N056DATMA1
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.00559ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN04S7N056DATMA1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7N040D
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.00404ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN04S7N040D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S6N017T
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.00205ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN04S6N017T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7N015ATMA1
Infineon
|
1 | MOSFET MOSFET_(20V 40V) | IAUCN04S7N015ATMA1 |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN08S7N013
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 175A I(D), 80V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN08S7N013 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7N004ATMA1
Infineon
|
0 | MOSFET | IAUCN04S7N004ATMA1 |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN08S7N024T
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IAUCN08S7N024T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7N004
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 175A I(D), 40V, 0.00044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN04S7N004 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN10S7N040
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN10S7N040 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN08S7L024
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IAUCN08S7L024 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7L053D
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN04S7L053D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN10S7N021
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 175A I(D), 100V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN10S7N021 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7L014
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.00215ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN04S7L014 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IAUCN04S7N012
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IAUCN04S7N012 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||