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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMZA65R057M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 650V, 0.074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMZA65R057M1H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMZA65R083M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 650V, 0.111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMZA65R083M1H |
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IMZA65R072M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 650V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMZA65R072M1H |
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IMZA65R030M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 650V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Trench Mosfet FET, TO-247 | IMZA65R030M1H |
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SP005398433
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 650V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | SP005398433 |
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