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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMZA65R026M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 650V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Trench Mosfet FET, TO-247 | IMZA65R026M2H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMZA65R040M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 650V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMZA65R040M2H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMZA65R033M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 650V, 0.041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Trench Mosfet FET, TO-247 | IMZA65R033M2H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMZA65R020M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 650V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMZA65R020M2H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMZA65R072M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 650V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IMZA65R072M1H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IMZA65R030M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 650V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Trench Mosfet FET, TO-247 | IMZA65R030M1H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SP005398433
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 650V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | SP005398433 |
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