Showing 25 of 127 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R180C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R180C7 |
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IPA60R120C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R120C7 |
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IPA60R099C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R099C6XKSA1 |
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IPA60R600C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R600C6 |
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IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R099C7XKSA1 |
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IPA60R450E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R450E6 |
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IPA60R600P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R600P6 |
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IPA60R400CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R400CEXKSA1 |
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IPA60R380C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R380C6XKSA1 |
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IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R099P6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA600N25NM3S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA600N25NM3S |
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IPA60R1K5CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R1K5CE |
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IPA60R125C6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R125C6XKSA1 |
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IPA60R460CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R460CEXKSA1 |
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IPA60R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R1K0CEXKSA1 |
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IPA60R380E6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R380E6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R280E6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R280E6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R280P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R280P7 |
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IPA60R125CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R125CFD7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R125P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R125P6 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA60R199CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R199CP |
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IPA60R160P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R160P7 |
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IPA60R360P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R360P7S |
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IPA600N25NM3SXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 250V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA600N25NM3SXKSA1 |
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IPA60R460CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA60R460CE |
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