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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R1K4P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R1K4P7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R280P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R280P7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPA80R650CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R650CE |
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IPA80R1K4CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R1K4CE |
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IPA80R1K0CEXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R1K0CEXKSA1 |
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IPA80R750P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPA80R750P7 |
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