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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB019N08N5ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.00195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB019N08N5ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB011N04LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB011N04LG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB014N04NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 194A I(D), 40V, 0.00145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB014N04NF2S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB011N04NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 201A I(D), 40V, 0.00115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB011N04NF2S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB015N08N5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB015N08N5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB017N08N5ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB018N06NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 191A I(D), 60V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB018N06NF2S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB019N08N3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB019N08N3GXT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB011N04NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB011N04NGATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB019N08N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB019N08N3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB015N04LGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB015N04LGATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB016N06L3GATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB016N06L3GATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB015N04LGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB015N04LGXT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB016N06L3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB016N06L3GXT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB011N04NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB011N04NG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB011N04LGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB011N04LGXT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB016N06L3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB016N06L3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB015N04LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB015N04LG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB017N06N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB017N06N3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB017N08N5
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 80V 120A D2PAK-2 | IPB017N08N5 |
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IPB015N06NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 197A I(D), 60V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB015N06NF2S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB019N06L3GXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB019N06L3GXT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB013N06NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 198A I(D), 60V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB013N06NF2S |
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IPB011N04NGXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB011N04NGXT |
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IPB016N06L3 G
Infineon
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1 | Infineon IPB016N06L3 G N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 60 V, 7-Pin TO-263 | IPB016N06L3 G |
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