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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB048N06LGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB048N06LGATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB04N03LAG
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 25V, 0.0064ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB04N03LAG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB049N08N5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB049N08N5 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB04CN10NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB04CN10NG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB048N15N5LF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 150V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB048N15N5LF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB042N03LGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB042N03LGATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB044N15N5
Infineon
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1 | MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7 | IPB044N15N5 |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB041N04NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0041ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB041N04NGATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB042N03LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB042N03LG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB042N10N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB042N10N3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB040N08NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 107A I(D), 80V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB040N08NF2S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB048N06LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB048N06LG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB04CNE8NG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 85V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB04CNE8NG |
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