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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB05CN10NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB05CN10NGATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB055N08NF2S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 94A I(D), 80V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB055N08NF2S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB054N06N3G
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB054N06N3G |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB055N03LG
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB055N03LG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB050N06NGATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB050N06NGATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB057N15NM6ATMA1
Infineon
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1 | MOSFETs OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package | IPB057N15NM6ATMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||