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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N04S302ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180N04S302ATMA1 |
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IPB180P04P4-03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180P04P4-03 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N04S401ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180N04S401ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N04S4LH0ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB180N04S4LH0ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180P04P4L02AUMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 40V, 0.0039ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180P04P4L02AUMA2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N04S302XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180N04S302XT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N06S4H1ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180N06S4H1ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N04S4L01ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPB180N04S4L01ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N10S403ATMA1
Infineon
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1 | MOSFET MOSFET_(75V 120V( | IPB180N10S403ATMA1 |
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N06S4H1ATMA2
Infineon
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1 | 60V, N-Ch, 1.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2 | IPB180N06S4H1ATMA2 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB180N04S4H0ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB180N04S4H0ATMA1 |
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