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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80R290C3AATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 800V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80R290C3AATMA2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2L11ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2L11ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S3L-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S3L-05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N07S405ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N07S405ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N03S4L-03
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N03S4L-03 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N04S3-H4
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N04S3-H4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P04P4L06ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 96A I(D), 40V, 0.0067ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P04P4L06ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N04S3-06
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N04S3-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S3L-06
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB80N06S3L-06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2L06XT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2L06XT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S209ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S209ATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S4L05ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S4L05ATMA2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N04S304ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N04S304ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S3L06ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | IPB80N06S3L06ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P03P4L04ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P03P4L04ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2L-11
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2L-11 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S3-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S3-05 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N07S4-05
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N07S4-05 |
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IPB80P04P4L08ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0079ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P04P4L08ATMA2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N04S403JEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N04S403JEATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80P03P3L-04
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80P03P3L-04 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPB80N06S2-08
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2-08 |
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IPB80N06S407ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S407ATMA1 |
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IPB80N03S4L-03
Rochester Electronics LLC
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1 | 80A, 30V, 0.0034ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN | IPB80N03S4L-03 |
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IPB80N06S2H5ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 55V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IPB80N06S2H5ATMA2 |
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![Part Image]([null,null,"//content.supplyframe.com/images/process/fit-in/100x100/p/1588_D%C2%B2Pak,TO-263_418AA-01.jpg"])
![Part Image]([null,null,"//content.supplyframe.com/images/process/fit-in/100x100/p/d2pak_4.jpg"])
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