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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD50R800CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R800CEBTMA1 |
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IPD50R800CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R800CE |
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IPD50N10S3L16ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 100V, 0.0199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N10S3L16ATMA2 |
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IPD50R399CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD50R399CP |
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IPD50N06S3L-06
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S3L-06 |
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IPD50N06S3L-13
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S3L-13 |
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IPD50N06S409ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S409ATMA1 |
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IPD50N06S214ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0144ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S214ATMA1 |
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IPD50P03P4L11ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3/2 | IPD50P03P4L11ATMA1 |
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IPD50R1K4CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R1K4CEBTMA1 |
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IPD50N06S2L13ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0167ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S2L13ATMA1 |
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IPD50R520CPATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD50R520CPATMA1 |
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IPD50R3K0CE
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R3K0CE |
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IPD50R520CPXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.1A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD50R520CPXT |
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IPD50R800CEAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R800CEAUMA1 |
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IPD50R399CPATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD50R399CPATMA1 |
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IPD50N06S3-15
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S3-15 |
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IPD50N03S207ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N03S207ATMA1 |
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IPD50N06S214ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0144ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S214ATMA2 |
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IPD50N04S308ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N04S308ATMA1 |
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IPD50N06S3L13ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 55V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50N06S3L13ATMA1 |
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IPD50R399CPXT
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.399ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD50R399CPXT |
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IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R950CEAUMA1 |
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IPD50R650CEATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD50R650CEATMA1 |
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IPD50R500CEBTMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD50R500CEBTMA1 |
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