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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70N12S3L-12
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPD70N12S3L-12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70N04S3-07
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70N04S3-07 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70N10S3-12
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70N10S3-12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70N10S3L12ATMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70N10S3L12ATMA2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70N03S4L-14
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0136ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IPD70N03S4L-14 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70R600CEAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70R600CEAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70N10S3L12ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70N10S3L12ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70N12S3L12ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0152ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70N12S3L12ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70R900P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 700V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70R900P7S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70R600P7SAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 700V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | IPD70R600P7SAUMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70N10S312ATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70N10S312ATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPD70R1K4P7S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 700V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPD70R1K4P7S |
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IPD70N03S4L04ATMA1
Infineon
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1 | 30 V, N-Ch, 4.3 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2 | IPD70N03S4L04ATMA1 |
1
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