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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60R040S7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | IPDQ60R040S7A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60T040S7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 54A I(D), 600V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ60T040S7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60T017S7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 113A I(D), 600V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ60T017S7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60R017S7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ60R017S7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60R015CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 149A I(D), 600V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ60R015CFD7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ65R029CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 650V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ65R029CFD7A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ65R080CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ65R080CFD7A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60T022S7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 600V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ60T022S7A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60R035CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 600V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ60R035CFD7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ65R125CFD7A
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 650V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ65R125CFD7A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60R020CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 112A I(D), 600V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPDQ60R020CFD7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ65R060CFD7XTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 45A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1 | IPDQ65R060CFD7XTMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60R017S7AXTMA1
Infineon
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1 | Infineon’s lowest RDS(on) * A SJ MOSFET in the novel top-side-cooled QDPAK package, ideal for low-frequency switching automotive applications | IPDQ60R017S7AXTMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60T040S7AXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 54A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1 | IPDQ60T040S7AXTMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ65R060CFD7AXTMA1
Infineon
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1 | MOSFETs AUTOMOTIVE 650V 45A 115mOhms 1 Channel HDSOP-22 | IPDQ65R060CFD7AXTMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60R070CM8XTMA1
Infineon
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1 | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | IPDQ60R070CM8XTMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60R010S7AXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 50A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1 | IPDQ60R010S7AXTMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ60T022S7AXTMA1
Infineon
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1 | 600VCoolMOSªSJS7TAPowerDevice | IPDQ60T022S7AXTMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPDQ65R008CM8XTMA1
Infineon
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1 | 650 V CoolMOS™ 8 power transistor | IPDQ65R008CM8XTMA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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