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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R125C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R125C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R104C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.104ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R104C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R125C7AUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R125C7AUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R285P7AUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R285P7AUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R185CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R185CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R085P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R085P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R255P6AUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.255ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, VSON-4 | IPL60R255P6AUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R210P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R210P6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R285P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.285ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R285P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R095CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R095CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R2K1C6S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPL60R2K1C6S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R385CPAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R385CPAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R255P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.255ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R255P6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R060CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 600V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R060CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R225CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET | IPL60R225CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R065C7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R065C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R1K5C6SATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R1K5C6SATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R650P6SATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R650P6SATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R2K1C6SATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPL60R2K1C6SATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R115CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R115CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R160CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R160CFD7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R299CPAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R299CPAUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R1K5C6S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R1K5C6S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R125P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R125P7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL60R385CP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 600V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL60R385CP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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