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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R195C7AUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 650V, 0.195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R195C7AUMA1 |
0
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IPL65R099C7
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS | IPL65R099C7 |
1
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IPL65R230C7AUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 650V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R230C7AUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R725CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IPL65R725CFD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R190E6AUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R190E6AUMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R460CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 650V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R460CFD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R340CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.9A I(D), 650V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R340CFD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R650C6S
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R650C6S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R310E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R310E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPL65R660E6AUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R660E6AUMA1 |
0
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IPL65R340CFDAUMA2
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.9A I(D), 650V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R340CFDAUMA2 |
0
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IPL65R725CFDAUMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 650V, 0.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET | IPL65R725CFDAUMA1 |
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IPL65R165CFD
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21.3A I(D), 650V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R165CFD |
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IPL65R190E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IPL65R190E6 |
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IPL65R160CFD7AUMA1
Infineon
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1 | N-Channel 650 V 17A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4 | IPL65R160CFD7AUMA1 |
1
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