Showing 25 of 138 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R040S7XKSA1
Infineon
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1 | Infineon’s best price performance Superjunction MOSFET for low frequency switching applications in TO-220 package | Other | IPP60R040S7XKSA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R065S7XKSA1
Infineon
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1 | N-Channel Power MOSFET RDS(on),max= 65mΩ, Qg,typ= 51nC, VSD= 0.82V, Pulsed ISD, IDS= 126A, Package PG-TO220-3 | Other | IPP60R065S7XKSA1 |
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IPP60R037CM8XKSA1
Infineon
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1 | MOSFETs HIGH POWER_NEW N-Channel 600V 70A TO-220-3 | Transistor Outline, Vertical | IPP60R037CM8XKSA1 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP600N25N3GXK
Infineon
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1 | Trans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 | Transistor Outline, Vertical | IPP600N25N3GXK |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R180CM8XKSA1
Infineon
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1 | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Transistor Outline, Vertical | IPP60R180CM8XKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R022S7XKSA1
Infineon
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1 | MOSFET HIGH POWER_NEW | Transistor Outline, Vertical | IPP60R022S7XKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP600N25N3 G
Infineon
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1 | MOSFET N-Ch 250V 25A TO220-3 OptiMOS 3 | Transistor Outline, Vertical | IPP600N25N3 G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R016CM8XKSA1
Infineon
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1 | N-Channel 600 V 135A (Tc) 625W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1, 16mOhm ,-55°C ~ 150°C (TJ) | Transistor Outline, Vertical | IPP60R016CM8XKSA1 |
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IPP60R280E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R280E6 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R125CFD7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R125CFD7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R600C6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R600C6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R600P6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R600P6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R099C7XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R099C7XKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R520CPXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R520CPXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R199CPXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R199CPXKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R360P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R360P7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R125P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R125P6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R099P6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R099P6 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R299CPXKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R299CPXKSA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R380E6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R380E6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R750E6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R750E6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R180P7
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R180P7 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R190E6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R190E6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R099P6XKSA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IPP60R750E6
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IPP60R750E6 |
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