Showing 25 of 308 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240SMD-JQR-BR4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.9A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF240SMD-JQR-BR4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER150K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 15uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF24ER150K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF241
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF241 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240E
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF240E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER2R7K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 2.7uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF24ER2R7K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER2R7K
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 2.7 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LEADED, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT | IRF24ER2R7K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER5R6K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 5.6uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF24ER5R6K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240-JQR-BR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF240-JQR-BR1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF240 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240SMDR4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.9A I(D), 200V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF240SMDR4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER470K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 47uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF24ER470K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF245R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 250V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF245R |
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IRF240EDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF240EDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240ED
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF240ED |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF244
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF244 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF240PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER220K
Vishay Dale
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1 | General Fixed Inductor, 1 ELEMENT, 22 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, AXIAL LEADED, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT | IRF24ER220K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF243R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 150V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF243R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF243R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF243R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF240EPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF240EPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ERR12M
Vishay Dale
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1 | IND CHOKE 120NH 20% 25.2MHZ 30 FERRITE 1.35A AXL - Tape and Reel | IRF24ERR12M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF241
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF241 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF244R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF244R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF245
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF245 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF24ER2R2K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 2.2uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF24ER2R2K |
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