Showing 25 of 146 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF350EC
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF350EC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF350
Texas Instruments
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF350 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF350ED
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF350ED |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF350
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF350 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF3515S
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3515S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF350
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF350 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF350EPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF350EPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF350
Advanced Microelectronic Products Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF350 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF352
Littelfuse Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF352 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF351P
Advanced Microelectronic Products Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRF351P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF353
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF353 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF352
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF352 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF350
onsemi
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF350 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF3515S
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3515S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF352
Freescale Semiconductor
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,400V V(BR)DSS,13A I(D),TO-3 | IRF352 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF350ED
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF350ED |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF351
IXYS Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF351 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF352
FCI Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF352 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF352
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF352 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF352
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF352 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF3515SHR
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 150V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3515SHR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF350EDPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF350EDPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF350R
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF350R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF350R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF350R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF350-JQR-BR1
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | IRF350-JQR-BR1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||