Showing 25 of 171 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3610STRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 103A I(D), 100V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF3610STRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF36ER470K
Vishay Dale
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1 | General Purpose Inductor, 47uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF36ER470K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF36ER821K
Vishay Dale
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1 | General Purpose Inductor, 820uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF36ER821K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF36ER3R3K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 3.3uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF36ER3R3K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF36ER1R8K
Vishay Dale
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1 | General Purpose Inductor, 1.8uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF36ER1R8K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF36ER220K
Vishay Dale
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1 | General Purpose Inductor, 22uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF36ER220K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF36ER8R2K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 8.2uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF36ER8R2K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF360-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF360-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF360-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF360-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3610STRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 103A I(D), 100V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF3610STRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF36ER561K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 560uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF36ER561K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF360R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF360R1 |
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IRF362
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 400V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF362 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF360
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | IRF360 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF36ER2R2K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 2.2uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF36ER2R2K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3610SPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 103A I(D), 100V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF3610SPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF36ER221K
Vishay Dale
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1 | General Purpose Inductor, 220uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF36ER221K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF362
Rochester Electronics LLC
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1 | 22A, 400V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AE | IRF362 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF36ER330K
Vishay Dale
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1 | General Purpose Inductor, 33uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF36ER330K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3610STRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 103A I(D), 100V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF3610STRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF36ER3R3K
Vishay Dale
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1 | General Purpose Inductor, 3.3uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF36ER3R3K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3610STRR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 103A I(D), 100V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF3610STRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF36ER271K
Vishay Intertechnologies
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1 | General Purpose Inductor, 270uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF36ER271K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF360
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | IRF360 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF36ER2R2K
Vishay Dale
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1 | General Purpose Inductor, 2.2uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | IRF36ER2R2K |
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