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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF5305-003 |
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IRF5305-029PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 31A, 55V, 0.06ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF5305-029PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF5305-029PBF |
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IRF5305-015
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF5305-015 |
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IRF5305-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF5305-006 |
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IRF5305-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF5305-031 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 31A, 55V, 0.06ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF5305-009PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF5305-004PBF |
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IRF5305-024
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF5305-024 |
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IRF5305STRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRF5305STRLPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-018
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF5305-018 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF5305-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-015PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 31A, 55V, 0.06ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF5305-015PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-030PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 31A, 55V, 0.06ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF5305-030PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-017PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 31A, 55V, 0.06ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF5305-017PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-017
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF5305-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 31A, 55V, 0.06ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF5305-006PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF5305-030PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF5305-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF5305-005 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF5305-017 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF5305-019PBF |
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IRF5305-006PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF5305-006PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5305-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF5305-002 |
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IRF5305-019
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 55V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF5305-019 |
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