Showing 25 of 63 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5802
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5802 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5803PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 40V, 0.112ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5803PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5806
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.086ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5806 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5805PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 0.098ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5805PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5803TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5803TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5803
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 40V, 0.112ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5803 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5803PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 40V, 0.112ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5803PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5806PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.086ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5806PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5804TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5804TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5804
Infineon Technologies AG
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1 | Transistor | IRF5804 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5810TRPBF
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5810TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5852PBF
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5852PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5800PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5800PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5803D2
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 40V, 0.112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF5803D2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5802PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5802PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5803D2TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 40V, 0.112ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF5803D2TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5801TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 200V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5801TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5806TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.086ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5806TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5806TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.086ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA | IRF5806TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5803TRPBF
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with -4.8 A continuous drain current, 0.049 ohm RDS(on) at VGS = -10 V, 5.1 nC gate charge, and TSOP-6 package. | IRF5803TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5805TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5805TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5850PBF
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5850PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5805
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 0.098ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF5805 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5803D2TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 40V, 0.112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF5803D2TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF5803D2TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 40V, 0.112ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF5803D2TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||