Showing 16 of 41 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF5Y31N20PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y31N20PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y3710CM
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y3710CM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y1310CMSCV
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y1310CMSCV |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5YZ48CM
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5YZ48CM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y3315CMPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 150V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y3315CMPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y9540CMPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y9540CMPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y1310CMPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y1310CMPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y540CM
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y540CM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y5305CMPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y5305CMPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y3205CM
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y3205CM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y540CMPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y540CMPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y31N20PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y31N20PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y9540CMPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y9540CMPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y31N20SCV
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y31N20SCV |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y31N20SCX
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.092ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y31N20SCX |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRF5Y3205CMPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 55V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | IRF5Y3205CMPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||