Showing 25 of 630 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6215-030
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF6215-030 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF622
National Semiconductor Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,4A I(D),TO-220AB | IRF622 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF624-030PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF624-030PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF621-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF621-002 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6215-024PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 11A, 150V, 0.29ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF6215-024PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF620AF
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF620AF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF620
Advanced Microelectronic Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF620 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF625
Rochester Electronics LLC
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1 | 3.3A, 250V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF625 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF621R
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF621R |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF624-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF624-003 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6218STRRHR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, D2PAK-3/2 | IRF6218STRRHR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF623R
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF623R |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF624-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF624-031PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6216TR
International Rectifier
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | IRF6216TR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6215-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF6215-004 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6215-029PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 11A, 150V, 0.29ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF6215-029PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6215-029
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF6215-029 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF620
Transys Electronics Limited
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1 | Transistor | IRF620 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF625-010
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 250V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF625-010 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF624-007
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF624-007 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF620L
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF620L |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF624
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 250V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF624 |
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IRF622FI
STMicroelectronics
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1 | 3.5A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF622FI |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6215-006PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 11A, 150V, 0.29ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF6215-006PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6215-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF6215-006 |
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