Showing 25 of 294 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6616TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 40V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6616TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6616TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 40V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6616TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6619PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6619PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6691TR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6691TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6678TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6678TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6622PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 25V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6622PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6631TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6631TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6635TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6635TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6645TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 100V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6645TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6644
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.3A I(D), 100V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6644 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6610TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 20V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6610TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6610TR1PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 20V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6610TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6629TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 25V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6629TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6610TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 20V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6610TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6620
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 20V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6620 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6619TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6619TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6691TR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 20V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6691TR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6626TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6626TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6665TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6665TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6633TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6633TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6614TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.7A I(D), 40V, 0.0083ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6614TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6665PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6665PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6633TR1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6633TR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6637TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6637TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF6643TR1PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 150V, 0.0345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF6643TR1PBF |
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