Showing 25 of 341 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF822 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820STRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF820STRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF823-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 450V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF823-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF821-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821
STMicroelectronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 450V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF821 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820W
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822R
Rochester Electronics LLC
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1 | 2A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF822R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821
Advanced Microelectronic Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF821 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF821-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-030PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-030 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF823
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 450V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF823 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF823-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 450V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF823-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 450V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF821 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF821-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.5A, 450V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF821-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF823-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 450V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF823-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 500V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF822-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF820-017 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF822-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2A, 500V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF822-012PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF820CF
National Semiconductor Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,2.8A I(D),TO-220AB | IRF820CF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||