Showing 25 of 72 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9383MPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9383MPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9317TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9317TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9388PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9388PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9310TRPBF-VB
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | P-Channel 30 V MOSFET in SO-8 package, featuring 18 A continuous drain current, 5 mΩ max RDS(on) at VGS = 10 V, and 8 mΩ max at VGS = 4.5 V, suitable for battery management and load switching applications. | IRF9310TRPBF-VB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9333TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 30V, 0.0194ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9333TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9358TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 30V, 0.0163ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9358TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9395MTR1PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.007ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9395MTR1PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9393TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 30V, 0.0194ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9393TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9335TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 30V, 0.059ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9335TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9332TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.0175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9332TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9335PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 30V, 0.059ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9335PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9395MTRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.007ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9395MTRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9392PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.0175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9392PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9362PBF-1
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF9362PBF-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9317PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.0066ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9317PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9328PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9328PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9333PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 30V, 0.0194ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9333PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9310TRPBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0046ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9310TRPBF-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9362TRPBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF9362TRPBF-1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9388TRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9388TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9395MTR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.007ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9395MTR1PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9328TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9328TRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9383MTR1PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.0029ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9383MTR1PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9362PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9362PBF |
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IRF9332PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 30V, 0.0175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF9332PBF |
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