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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA34N50C
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA34N50C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA32N50K
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 500V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA32N50K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA1404PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 212A I(D), 40V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA1404PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA22N50A
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA22N50A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA90N20D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBA90N20D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA90N20DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 200V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA90N20DPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA35N60C
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA35N60C |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA1404PPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA1404PPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBA35N60CPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA35N60CPBF |
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IRFBA22N50A
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-273AA | IRFBA22N50A |
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AUIRFBA1405
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFBA1405 |
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AUIRFBA1405
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFBA1405 |
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