Showing 25 of 218 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.8A, 800V, 3.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBE32-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30
Semiconductor Technology Inc
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1 | Transistor | IRFBE30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-030PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30STRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE30STRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-001PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.6A, 800V, 7.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBE22-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-030 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20STRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20STRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE30 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE20-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE20-024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 800V, 7.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE22-003 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE30-019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBE30-019PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE32-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 800V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBE32-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBE22-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.6A, 800V, 7.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBE22-012PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||