Showing 25 of 219 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF20STRRPBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3 | IRFBF20STRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF20-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF20-024 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22-009PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.5A, 900V, 9.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBF22-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF32-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF32-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22-004
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 900V, 9.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF22-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF30-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF30-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF32-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFBF32-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF30-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 900V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF30-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF30-015
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF30-015 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF20-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF20-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF32-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF32-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF32PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.5A, 900V, 4.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRFBF32PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF30-007PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF30-007PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF32-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF32-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 900V, 9.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF22-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF32-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF32-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF32-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF32-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 900V, 9.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFBF22-002 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF30
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF30 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF32-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.5A, 900V, 4.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBF32-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 900V, 9.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF22PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF30-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF30-018PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.5A, 900V, 9.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBF22-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF20PBF
Vishay
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1 | IRFBF20PBF | IRFBF20PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22-012PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.5A, 900V, 9.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBF22-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||