Showing 25 of 220 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.5A, 900V, 9.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBF22-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF20-019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF20-019PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF32-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.5A, 900V, 4.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBF32-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF30-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF30-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 900V, 9.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF22-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 900V, 9.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF22-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF20S
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFBF20S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF30PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF30PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF32-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF32-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF32-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.5A, 900V, 4.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBF32-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF30-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF30-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 900V, 9.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF22-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF20STRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | IRFBF20STRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 900V, 9.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF22-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF32-001
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF32-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 900V, 9.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF22-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF20LPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFBF20LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF20PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF20PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF20LPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRFBF20LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF30-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF30-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF32-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 900V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBF32-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF20-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF20-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF22-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.5A, 900V, 9.6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBF22-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF20
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF20 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBF20-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBF20-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||