Showing 25 of 202 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-029PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-029PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-018PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.2A, 1000V, 13.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBG22-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30-002 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.1A, 1000V, 6.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBG32-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-006
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-006 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG20-015
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 1000V, 11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG20-015 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.2A, 1000V, 13.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBG22-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG32-001 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-013
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 1000V, 13.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBG22-013 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30-007
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30-007 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG32-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.1A, 1000V, 6.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBG32-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG22-001PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 1.2A, 1000V, 13.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFBG22-001PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30-007PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30-007PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30-015
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30-015 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFBG30-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 1000V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFBG30-002PBF |
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