Showing 24 of 49 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE130SCXPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.207ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE130SCXPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE110
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE110 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE110-QR-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE110-QR-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE120-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE120-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE130-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.207ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE130-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE110E4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE110E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE110-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 0.69ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE110-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE110-QR-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 0.69ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE110-QR-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE110-QR-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 0.69ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE110-QR-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE113
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE113 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE120-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE120-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE130PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.207ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE130PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE120
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE110E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE110E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE120-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE120-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE120-JQR-BE4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE120-JQR-BE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE130
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.207ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE130 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE130E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.207ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE130E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE130-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.207ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE130-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE130-JQR-B
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 100V, 0.207ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE130-JQR-B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE120
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE120 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE110PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE110PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE120E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE120E4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFE120E4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFE120E4 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||