Showing 12 of 37 results
Filter by Manufacturer
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
---|
Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFE230E4
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE230E4 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230SCS
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE230SCS |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE220-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 2.8A, 200V, 0.92ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE220-JQR-B |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE210PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 200V, 1.725ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE210PBF |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE220-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 0.92ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE220-JQR-BE4 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE220E4
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 0.92ohm, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC4-15 | IRFE220E4 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE210-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 1.8A, 200V, 1.725ohm, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | IRFE210-JQR-B |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230E4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 4.8A, 200V, 0.46ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE230E4 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 4.8A, 200V, 0.46ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE230 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230-JQR-BE4
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRFE230-JQR-BE4 |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230SCX
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | IRFE230SCX |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFE230-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 4.8A, 200V, 0.46ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRFE230-JQR-B |
0
|
Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||