Showing 25 of 173 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFF223R
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFF223R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF210
Rochester Electronics LLC
|
1 | 2.25A, 200V, 1.725ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | IRFF210 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF210PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRFF210PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF230-JQR-B
TT Electronics Resistors
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF230-JQR-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF231
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF231 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF223
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | IRFF223 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF230
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF230 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF210
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFF210 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF220
Rochester Electronics LLC
|
1 | 3.5A, 200V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN | IRFF220 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF230
Motorola Semiconductor Products
|
1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFF230 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF210
Freescale Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFF210 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF221
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFF221 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF221
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF221 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF230
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF230 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF212R
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF212R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF233
Freescale Semiconductor
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,4.5A I(D),TO-205AF | IRFF233 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF211R
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF211R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF230
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF230 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF220
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205 | IRFF220 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF220
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF220 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF232
Vishay Siliconix
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205 | IRFF232 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF232R
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFF232R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF211
Thomson Consumer Electronics
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFF211 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF231R
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF231R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFF220-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | IRFF220-JQR-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||