Showing 25 of 764 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI9Z24N-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9Z24N-030PBF |
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IRFI9634G-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9634G-019 |
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IRFI9Z24N-107
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFI9Z24N-107 |
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IRFI9520G-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9520G-003 |
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IRFI9640G-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9640G-017PBF |
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IRFI9Z34N-102
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFI9Z34N-102 |
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IRFI9Z24N-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9Z24N-005 |
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IRFI9Z34N-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9Z34N-003PBF |
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IRFI9Z34G-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9Z34G-013 |
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IRFI9540G
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9540G |
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IRFI9630G-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9630G-017PBF |
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IRFI9634G-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9634G-013 |
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IRFI9540N-029
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9540N-029 |
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IRFI9Z34G-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9Z34G-012 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI9Z24N-024
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9Z24N-024 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI9Z34N-103
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFI9Z34N-103 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI9530G-013PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9530G-013PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI9Z24N-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9Z24N-003 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI9540G-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9540G-031 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI9Z24N-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9Z24N-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI9540N-010PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9540N-010PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI9530GPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9530GPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFI9540N-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9540N-002 |
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IRFI9530G-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9530G-011 |
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IRFI9Z34G-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFI9Z34G-018 |
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