Showing 25 of 62 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS17N20DTRLP
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS17N20DTRLP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS17N20DTRRP
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS17N20DTRRP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z3
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 60V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA | IRFS1Z3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z3TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 60V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AB | IRFS1Z3TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z3TRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 60V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AB | IRFS1Z3TRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z3
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS1Z3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS11N50ATRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS11N50ATRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS17N20DTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS17N20DTRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z0TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.82A I(D), 100V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA | IRFS1Z0TRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z3TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 60V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AB | IRFS1Z3TRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z3TRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 60V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA | IRFS1Z3TRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS11N50ATRLP
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS11N50ATRLP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS152
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23.5A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS152 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS142
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.3A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS142 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS11N50ATRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS11N50ATRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS133
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 80V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS133 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS141
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19.4A I(D), 80V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS141 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS17N20DHR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS17N20DHR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z3TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 60V, 3.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AB | IRFS1Z3TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z0
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.82A I(D), 100V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA | IRFS1Z0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS17N20DTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS17N20DTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS17N20DTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS17N20DTRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS11N50A
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS11N50A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS153
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23.5A I(D), 80V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS153 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS1Z0TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.82A I(D), 100V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA | IRFS1Z0TR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||