Showing 25 of 60 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS59N10DTRRP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS59N10DTRRP |
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IRFS520A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS520A |
0
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IRFS510A
Rochester Electronics LLC
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1 | 4.5A, 100V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | IRFS510A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS52N15DTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 150V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS52N15DTRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS543
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 80V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS543 |
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IRFS530A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS530A |
0
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IRFS5615PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS5615PBF |
0
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IRFS521
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS521 |
0
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IRFS59N10DTRLP
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS59N10DTRLP |
0
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IRFS523
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 80V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS523 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS59N10DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS59N10DPBF |
0
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IRFS5615TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS5615TRRPBF |
0
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IRFS540A
Rochester Electronics LLC
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1 | 17A, 100V, 0.052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | IRFS540A |
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IRFS550A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS550A |
0
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IRFS540AT
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS540AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS530
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS530 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS59N10DTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS59N10DTRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS520A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS520A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS5615TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS5615TRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS540A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS540A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS5620TRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.0775ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS5620TRRPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS510A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS510A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS550A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS550A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS540
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS540 |
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IRFS5620TRRPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.0775ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS5620TRRPBF |
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