Showing 25 of 114 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFS7534PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7534PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7437TRLPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7437TRLPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7762PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 75V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7762PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7437TRL7PP
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS7437TRL7PP |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7434TRLPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7434TRLPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7762TRLPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 75V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7762TRLPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7434-7PPbF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS7434-7PPbF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7734TRLPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 183A I(D), 75V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7734TRLPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7430-7PPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRFS7430-7PPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7440PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7440PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS710B
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS710B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS741
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 350V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS741 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7537TRLPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7537TRLPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS732
Samsung Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS732 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS740A
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS740A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7434PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7434PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS730B
Rochester Electronics LLC
|
1 | 5.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220F, 3 PIN | IRFS730B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7734PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRFS7734PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7440TRLPBF
Infineon
|
1 | Infineon IRFS7440TRLPBF N-channel MOSFET, 120 A, 40 V StrongIRFET, 3-Pin D2PAK | IRFS7440TRLPBF |
1
|
Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7730PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 75V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7730PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7430TRLPBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRFS7430TRLPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7430PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor | IRFS7430PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7734PBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 183A I(D), 75V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7734PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7437PBF
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS7437PBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
IRFS7734-7PPBF
Infineon Technologies AG
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 197A I(D), 75V, 0.00305ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB | IRFS7734-7PPBF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||