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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS820B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS820B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS840
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS840 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS840A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS840A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS840B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS840B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS820B_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS820B_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS841
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 450V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS841 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS843
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS843 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS840B
Rochester Electronics LLC
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1 | 8A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220F, 3 PIN | IRFS840B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS840BT_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS840BT_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8405TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8405TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8408-7TRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8408-7TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8408TRR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8408TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8409-7TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8409-7TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8408-7P
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8408-7P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8405TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8405TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8408-7P
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8408-7P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8405
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8405 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8408-7TRR
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8408-7TRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8407TRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8407TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8407-7TRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8407-7TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8408TRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8408TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8407-7TRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8407-7TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8409
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8409 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8403TRL
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 123A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8403TRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AUIRFS8408TRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | AUIRFS8408TRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||