Showing 25 of 56 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9240
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9240 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9642
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9642 |
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IRFS9N60APBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS9N60APBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9N60ATRLPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS9N60ATRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9533
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9533 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9132
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9132 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9622
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9622 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9623
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9623 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9231
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9231 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9230
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9230 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9141
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.2A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9141 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9543
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9543 |
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IRFS9N60A
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS9N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9140
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13.2A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9140 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9530
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9530 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9N60ATRRPBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRFS9N60ATRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9N60ATRRPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9N60ATRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9233
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9233 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9541
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9541 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9621
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9621 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9540
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9540 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9521
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 60V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9521 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9542
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9542 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9643
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9643 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9N60ATRLPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9N60ATRLPBF |
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